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Ficheiro:Microstrip-bandpass-filter.jpg

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Descrição
Deutsch: Bandpassfilter mit Mikrostreifenleitern, der seitlich gekoppelte λ/2-Resonatoren verwendet. Die metallisierten Bohrungen an jeder Seite sind nicht Teil der Filterstruktur, sondern Teil des Gehäuses und dienen der Verbesserung der Isolation. Die Substratdicke beträgt ungefähr 0,5 mm und die Dicke der Metallisierung vielleicht 20 µm. Die Bandbreite liegt am unteren Ende des Ku-Bandes, deshalb muss die Dieelektrizitätskonstante des Substrates bei ca. 3,5 liegen. Für den Maßstab: Das Raster der Gehäuse-Bohrungen liegt genau bei 1 mm.
English: Bandpass filter in microstrip using edge-coupled halfwave resonators. The via fences on each side are not part of the filter, but form part of the enclosure. The substrate thickness is about 0.5mm, and the metallization thickness perhaps 20μm. The pass band is at the bottom of the Ku band, so the substrate dielectric constant must be about 3.5. For scale: the pitch of the via fences is precisely 1mm.
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Autor Catslash

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atual16h15min de 29 de abril de 2010Miniatura da versão das 16h15min de 29 de abril de 20101 132 × 472 (130 kB)Catslash{{Information |Description={{en|1=Bandpass filter in microstrip using edge-coupled halfwave resonators. The via fences on each side are not part of the filter, but form part of the enclosure. The substrate thickness is about 0.5mm, and the metallization t

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