Base comum

Em eletrônica, base comum se refere a um tipo de configuração do transistor bipolar na qual sua base é conectada ao terra ou ao ponto comum do circuito.

Este arranjo é utilizado menos que as outras configurações em circuitos de baixa frequência, porém é comumente utilizado para amplificadores que requerem uma impedância de entrada baixa. Como por exemplo temos o pré-amplificador de microfones com bobina móvel.

Ele é comumente utilizado para amplificadores VHF e UHF aonde a baixa capacitância da saída à entrada é de importância crítica. Esta baixa capacitância se deve, em parte, ao efeito de exame da base que está conectada ao terra quando as frequências do sinal são consideradas.

Característica[editar | editar código-fonte]

(As linhas paralelas indicam componentes em paralelo.)

Ganho de tensão:

Com C_E:

g_{m}(R_{\mathrm {C} }\|R_{\mathrm {load} })\,

Resistência de entrada: $R_{\mathrm {E} }\|{r_{\pi }+R_{1}\|R_{2} \over 1+\beta _{0}}.$

Ganho de corrente: $A_{\mathrm {vm} }{r_{\mathrm {in} } \over R_{\mathrm {load} }}$

Resistência de saída: $R_{\mathrm {C} }\,$

As variáveis que não se encontram no esquema elétricos são:

g_m é a transcondutância em siemens. dada por $g_{m}=I_{\mathrm {C} }/V_{\mathrm {T} }$ $g_{m}=I_{\mathrm {C} }/V_{\mathrm {T} }$ , onde:
- $I_{\mathrm {C} }$ é a corrente de entrada no coletor
- $V_{\mathrm {T} }=kT/q$ é a tensão térmica, calculada a partir da constante de Boltzmann, da carga de um elétron, e da temperatura do transistor em kelvins. Em uma temperatura de um ambiente fechado este valor é cerca de 25 mV
$\beta _{0}=I_{\mathrm {C} }/I_{\mathrm {B} }$ é o ganho de corrente em baixas frequências (comumente chamado de h_FE). Este é um parâmetros específico para cada transistor, e pode ser encontrado em seu datasheet.
$r_{\pi }=\beta _{0}/g_{m}=V_{\mathrm {T} }/I_{\mathrm {B} }$

Ver também[editar | editar código-fonte]