Memória reprogramável
Uma memória não volátil é reprogramável quando o seu conteúdo se pode alterar após ser programada. O primeiro dispositivo de memória não volátil foi proposto por Kahng e Sze em 1967.
Estes dispositivos baseiam-se na modificação da carga eléctrica capturada na porta de um transistor mos. Existem várias estruturas para conseguir isto. As 3 principais detalham-se a seguir.[1]
Estrutura FAMOS[editar | editar código-fonte]
A estrutura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) mostra-se na figura 1. É um transistor MOS com a sua porta de polisilício isolada totalmente por dióxido de silício. Para gravar a memória, o drenador se polariza para atingir tensão de avalanche e os elétrons de avalanche injectam-se no óxido. Esta carga modifica a tensão limiar do transistor.
Estrutura MIOS[editar | editar código-fonte]
A estrutura MIOS (Metal-Insulator-SiO2-Se) é um transistor MOS com duas capas de dieléctricos diferentes na porta. A classe mais popular é a MNOS (Metal-Nitruro de silício-Oxido de silício-Silício). Os elétrons cruzam o SiO2 por efeito túnel e a capa de nitruro por emissão de Frankel-Poole. Os MIOS podem-se apagar electricamente, e são a base das memórias EAROM (Electrically alterable ROM)
Estrutura SAMOS[editar | editar código-fonte]
A estrutura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura 3) provem da FAMOS, acrescentando-lhe uma segunda porta. Esta segunda porta, além de permitir o apagado eléctrico, facilita a escrita. Esta estrutura é a base das memórias EEPROM
Ver também[editar | editar código-fonte]
Referências
- ↑ Enrique Mandado Pérez (abril de 2007). Microcontroladores PIC: sistema integrado para el autoaprendizaje (em catalão). [S.l.]: Marcombo. pp. 35–. ISBN 978-84-267-1431-2. Consultado em 10 de setembro de 2011